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IRF3314STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3314STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3315詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3315L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3315LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3315PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：94W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF4905STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IRF7413ZTR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
IRF3314STRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V D2PAK
E32-T15Y 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M
IMP1-1Q0-3E0-1E0-2D0-43-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-32HA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 32POS STRGHT W/PINS
IPP086N10N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
HCM1305-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD
IRF510STRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
E32-T15Y 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M
IMP1-2E0-1B0-1L0-1N0-1Q0-1W0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-32JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 32POS STRGHT W/SKT
IPP08CN10N G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
HCM1305-R47-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 0.47UH SMD
E32-T15YR 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER HI FLEX THRUBEAM 2M

IRF331 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料