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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF331 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF3314STRL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:150V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:-
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF3314STRR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK
    系列:-
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:150V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:-
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF3315詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:150V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
    功率_最大:136W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF3315L詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:150V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF3315LPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:150V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF3315PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:150V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:23A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
    功率_最大:94W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF331供應(yīng)商

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