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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF2804STRL 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF2804STRL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 75A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6450pF @ 25V
    功率_最大:330W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 160A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6930pF @ 25V
    功率_最大:330W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 160A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6930pF @ 25V
    功率_最大:330W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 160A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6930pF @ 25V
    功率_最大:330W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
    包裝:Digi-Reel®

    IRF2804STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 75A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6450pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF2804STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 75A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6450pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF2804STRL供應(yīng)商

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