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IRF1404S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：162A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1404SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：162A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1404STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：162A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF1404STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：162A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF1404STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：162A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1404STRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：162A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
H5BXT-10104-R7-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065R/X 4"
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固態(tài)硬盤驅(qū)動器 SanDisk SSD ULTRA320 SCSI 24GB
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光隔離器 - 三端雙向可控硅，SCR輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER SCR-OUT WIDE 6-DIP
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光隔離器 - 三端雙向可控硅，SCR輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER SCR-OUT VDE 6-SMD
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固態(tài)硬盤驅(qū)動器 SanDisk SSD ULTRA320 SCSI 40GB
ISL21060CFH630Z-TK
PMIC - 電壓基準 Intersil SOT-23-6 IC VREF SERIES PREC 3V SOT-23-6
GKZ59
配件 Honeywell Sensing and Control GKZ KEYS SPRING-LOADED
H11C6300
光隔離器 - 三端雙向可控硅，SCR輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER SCR-OUT VDE 6-DIP
FFD35-U3S-40-X-P80
固態(tài)硬盤驅(qū)動器 SanDisk SSD ULTRA320 SCSI 40GB

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