IR21064 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

IR21064詳細規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14-DIP

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：180ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：200mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：14-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商器件封裝：14-DIP

包裝：管件

IR21064PBF詳細規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：180ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：200mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：14-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商器件封裝：14-DIP

包裝：管件

IR21064S詳細規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：180ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：200mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：14-SOICN

包裝：管件

IR21064SPBF詳細規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：180ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：200mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：14-SOICN

包裝：管件

IR21064STR詳細規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：180ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：200mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：14-SOICN

包裝：帶卷 (TR)

IR21064STRPBF詳細規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：180ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：200mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：14-SOICN

包裝：帶卷 (TR)

• ISC1812RQR68K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 680NH 10% 1812

• IRG4IBC10UDPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3 整包    IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO220FP

• IRG4PC20U

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-247-3    IGBT STD 250V 98A TO-247AC

• FDS86242

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

• IR21064PBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

• H4BBG-10105-S1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047S/H9991TR 5"

• ISC1812RV100K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 10UH 10% 1812

• GJM0335C1E6R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• FDS86252

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN

• ISC1812RV1R8K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

• GJM0335C1E6R8CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

• H4BBG-10108-A1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047A/H9991TR 8"

• IR2106STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC

• FDS8813NZ

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E6R8DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201