IR2102 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IR2102詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨(dú)立

輸入類型：反相

延遲時(shí)間：160ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：210mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：8-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商器件封裝：8-DIP

包裝：管件

IR2102PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨(dú)立

輸入類型：反相

延遲時(shí)間：160ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：210mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：8-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商器件封裝：8-DIP

包裝：管件

IR2102S詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨(dú)立

輸入類型：反相

延遲時(shí)間：160ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：210mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N

包裝：管件

IR2102SPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

描述：IC DRIVER HI/LOW SIDE 8-SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨(dú)立

輸入類型：反相

延遲時(shí)間：160ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：210mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N

包裝：管件

IR2102STR詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨(dú)立

輸入類型：反相

延遲時(shí)間：160ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：210mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

IR2102STRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨(dú)立

輸入類型：反相

延遲時(shí)間：160ns

導(dǎo)通電阻：

電流_峰值：210mA

電流_輸出/通道：

配置數(shù)：1

電流_峰值輸出：

輸出數(shù)：2

高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：600V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• ISC1812RQR12K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 120NH 10% 1812

• IRG4BC40WPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3    IGBT WARP 600V 40A TO220AB

• IR2086SPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)    International Rectifier    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DVR FULL BRIDGE HI/LOW 16SOIC

• H4BBG-10105-G1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 5"

• GJM0335C1E6R6DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.6PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQR39M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 390NH 20% 1812

• IRG4BH20K-LPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA    IGBT UFAST 1200V 11A TO262

• IRG4BH20K-S

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK

• FDS86141

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC

• GJM0335C1E6R7DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQR68K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 680NH 10% 1812

• IRG4IBC10UDPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3 整包    IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO220FP

• IRG4PC20U

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-247-3    IGBT STD 250V 98A TO-247AC

• FDS86242

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

• IR21064PBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)    International Rectifier    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP