

IR2011詳細規(guī)格
- 類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
- 描述:HI/LO SIDE DRVR 8-DIP
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- 類型:
- 配置:高端和低端,獨立
- 輸入類型:非反相
- 延遲時間:80ns
- 導通電阻:
- 電流_峰值:1A
- 電流_輸出/通道:
- 配置數(shù):1
- 電流_峰值輸出:
- 輸出數(shù):2
- 高壓側電壓_最大值(自舉):200V
- 電壓_電源:10 V ~ 20 V
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供應商器件封裝:8-DIP
- 包裝:管件
IR2011PBF詳細規(guī)格
- 類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
- 描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- 類型:
- 配置:高端和低端,獨立
- 輸入類型:非反相
- 延遲時間:80ns
- 導通電阻:
- 電流_峰值:1A
- 電流_輸出/通道:
- 配置數(shù):1
- 電流_峰值輸出:
- 輸出數(shù):2
- 高壓側電壓_最大值(自舉):200V
- 電壓_電源:10 V ~ 20 V
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供應商器件封裝:8-DIP
- 包裝:管件
IR2011S詳細規(guī)格
- 類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
- 描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- 類型:
- 配置:高端和低端,獨立
- 輸入類型:非反相
- 延遲時間:80ns
- 導通電阻:
- 電流_峰值:1A
- 電流_輸出/通道:
- 配置數(shù):1
- 電流_峰值輸出:
- 輸出數(shù):2
- 高壓側電壓_最大值(自舉):200V
- 電壓_電源:10 V ~ 20 V
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SOIC N
- 包裝:管件
IR2011SPBF詳細規(guī)格
- 類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
- 描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- 類型:
- 配置:高端和低端,獨立
- 輸入類型:非反相
- 延遲時間:80ns
- 導通電阻:
- 電流_峰值:1A
- 電流_輸出/通道:
- 配置數(shù):1
- 電流_峰值輸出:
- 輸出數(shù):2
- 高壓側電壓_最大值(自舉):200V
- 電壓_電源:10 V ~ 20 V
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SOIC N
- 包裝:管件
IR2011STR詳細規(guī)格
- 類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
- 描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- 類型:
- 配置:高端和低端,獨立
- 輸入類型:非反相
- 延遲時間:80ns
- 導通電阻:
- 電流_峰值:1A
- 電流_輸出/通道:
- 配置數(shù):1
- 電流_峰值輸出:
- 輸出數(shù):2
- 高壓側電壓_最大值(自舉):200V
- 電壓_電源:10 V ~ 20 V
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
IR2011STRPBF詳細規(guī)格
- 類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
- 描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- 類型:
- 配置:高端和低端,獨立
- 輸入類型:非反相
- 延遲時間:80ns
- 導通電阻:
- 電流_峰值:1A
- 電流_輸出/通道:
- 配置數(shù):1
- 電流_峰值輸出:
- 輸出數(shù):2
- 高壓側電壓_最大值(自舉):200V
- 電壓_電源:10 V ~ 20 V
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT ULT FAST 600V 31A D2PAK
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047A/H9991TR 3"
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 6.3PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 22UH 10% 1812
- 紅外發(fā)射器,UV 發(fā)射器 Everlight Electronics Co Ltd 0603(1608 公制) LED IR GAA1AS WATER CLEAR SMD
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB N-CHAN IGBT 600V 31A COPAK D2PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT UFAST 600V 28A TO-220AB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 6.4PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 2.2UH 5% 1812
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT UFAST 600V 28A D2PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 33UH 10% 1812
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