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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IPD50R650CE 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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    IPD50R650CE詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
    系列:CoolMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:500V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫歐 @ 1.8A, 13V
    Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:342pF @ 100V
    功率_最大:47W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO252-3
    包裝:剪切帶 (CT)

    IPD50R650CE詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
    系列:CoolMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:500V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫歐 @ 1.8A, 13V
    Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:342pF @ 100V
    功率_最大:47W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO252-3
    包裝:帶卷 (TR)

    IPD50R650CE詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
    系列:CoolMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:500V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫歐 @ 1.8A, 13V
    Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:342pF @ 100V
    功率_最大:47W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO252-3
    包裝:Digi-Reel®

    IPD50R650CE供應(yīng)商

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