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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IPB10N03L 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
    按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

    IPB10N03LB詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 50A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1639pF @ 15V
    功率_最大:58W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO263-3
    包裝:帶卷 (TR)

    IPB10N03LB G詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 50A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1639pF @ 15V
    功率_最大:58W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO263-3
    包裝:帶卷 (TR)

    IPB10N03L供應(yīng)商

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