IMH20TR1詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN DUAL BIAS 500MA SC74-6
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：80mV @ 2.5mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉(zhuǎn)換：-
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-74，SOT-457
- 供應商設備封裝：SC-74R
- 包裝：帶卷 (TR)
IMH20TR1G詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN DUAL BIAS 500MA SC74-6
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：80mV @ 2.5mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉(zhuǎn)換：-
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-74，SOT-457
- 供應商設備封裝：SC-74R
- 包裝：帶卷 (TR)
IMH21T110詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS DIGITAL NPN 20V 600MA SMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-74，SOT-457
- 供應商設備封裝：SMT6
- 包裝：帶卷 (TR)
IMH23T110詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-74，SOT-457
- 供應商設備封裝：SMT6
- 包裝：帶卷 (TR)
IMH23T110詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-74，SOT-457
- 供應商設備封裝：SMT6
- 包裝：剪切帶 (CT)
IMH23T110詳細規(guī)格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-74，SOT-457
- 供應商設備封裝：SMT6
- 包裝：Digi-Reel®
- RF 二極管 Avago Technologies US Inc. SC-70，SOT-323 DIODE PIN ATTENUATOR CA SOT-323
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） CAP FILM 4700PF 16VDC 0805
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，罐 - 卡入式 - 4 引線 CAP ALUM 10000UF 100V 20% SNAP
- FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
- 配件 Honeywell Sensing and Control 模塊 TOGGLE SW HDW
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 2.5MHZ QUAD 14SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
- RF 二極管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE PIN SWITCH 50V SOT-23
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，罐 - 卡入式 - 4 引線 CAP ALUM 2700UF 200V 20% SNAP
- FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
- 配件 Honeywell Sensing and Control 模塊 TOGGLE SW HDW
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 2.5MHZ QUAD 14SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP FILM 0.047UF 16VDC 1206
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