IHSM4825PJ1R2L 全國供應商、價格、PDF資料

IHSM4825PJ1R2L詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR POWER 1.2UH 7.6A SMD

系列：IHSM-4825

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：1.2µH

電流：

額定電流：7.6A

電流_飽和值：3.8A

容差：±15%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 18 毫歐

不同頻率時的Q值：-

頻率_自諧振：-

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：非標準

大小/尺寸：0.540" L x 0.250" W x 0.225" H（13.72mm x 6.35mm x 5.72mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：散裝

• IDT70V3569S6BF

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA

• IHSM4825PJ151L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 150UH 0.58A SMD

• DSF-28-0003

  固定式    Schurter Inc    徑向    DSF STORAGE CHOKE 1A

• LGY1C822MELZ30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 8200UF 16V 20% SNAP

• DS1135LU-20+

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC DELAY LINE 20NS 8-USOP

• GRM31MF51C155ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1.5UF 16V Y5V 1206

• DTS090275UDC-P5P-TK

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANS TABLE TOP 9VDC 2.75A 2WIRE

• IMC1812BN821J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 820UH 5% 1812

• IDT70V356S12DR

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BFQFP    IC SRAM 576KBIT 12NS 208QFP

• LGY1E682MELZ30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 6800UF 25V 20% SNAP

• DS1135LZ-10+

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 10NS 8-SOIC

• IDT70V3579S5BC

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA

• GRM31MF51C225ZA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 16V Y5V 1206

• IMC1812BN82NM

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 82NH 20% 1812

• DTS120100SUDC-P12N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1000MA P12 NEG C