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    HCT802TX 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    HCT802TX詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
    系列:-
    制造商:TT Electronics/Optek Technology
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:90V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A,1.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:500mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-SMD,無引線
    供應商設備封裝:6-SMD
    包裝:散裝

    HCT802TXV詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
    系列:-
    制造商:TT Electronics/Optek Technology
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:90V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A,1.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:70pF @ 25V
    功率_最大:500mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-SMD,無引線
    供應商設備封裝:6-SMD
    包裝:散裝

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