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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    HAT2172N 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    HAT2172N詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I
    系列:-
    制造商:Renesas Electronics America
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
    功率_最大:20W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-LFPAK-iV
    包裝:帶卷 (TR)

    HAT2172N-EL-E詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I
    系列:-
    制造商:Renesas Electronics America
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 10mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
    功率_最大:20W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-LFPAK-iV
    包裝:帶卷 (TR)

    HAT2172N供應(yīng)商

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