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    HAT2160H 全國供應商、價格、PDF資料

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    HAT2160H詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
    系列:-
    制造商:Renesas Electronics America
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.6 毫歐 @ 30A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7750pF @ 10V
    功率_最大:30W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-100,SOT-669
    供應商設備封裝:LFPAK
    包裝:帶卷 (TR)

    HAT2160H-EL-E詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
    系列:-
    制造商:Renesas Electronics America
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.6 毫歐 @ 30A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.3V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7750pF @ 10V
    功率_最大:30W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-100,SOT-669
    供應商設備封裝:LFPAK
    包裝:帶卷 (TR)

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