FQP2N90 全國供應商、價格、PDF資料

FQP2N90詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：900V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.2 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 25V

功率_最大：85W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設(shè)備封裝：TO-220

包裝：管件

• GMB8TNREVI

  RF配件    Laird Technologies IAS        MOUNT MAGN 3/4" 58A RTNM

• FQP17P06

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET P-CH 60V 17A TO-220

• H48-2-300-300-3.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology    徑向，圓盤    H48-2 SHEET 300X300X3MM W/ADH

• FQP19N10

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 19A TO-220

• H48-2-640-320-0.5-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-2 SHEET 640X320X0.5MM W/ADH

• FQP22P10

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET P-CH 100V 22A TO-220

• H48-2-640-320-10.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-2 SHEET 640X320X10MM

• FQP2N50

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220

• H48-6-150-150-0.5-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X0.5MM W/ADH

• H48-6-25-25-9

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        THERMAL PAD H48-6 25X25X9MM

• FQP5N90

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220

• GMBR8B

  RF配件    Laird Technologies IAS        MOUNT MAGN 3/4" 58A BNCM

• FQP5P20

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220

• GMBR8P

  RF配件    Laird Technologies IAS        MOUNT MAGN 3/4" 58A UHFM

• FQP6N70

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220