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    FQP19N20 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    FQP19N20詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 9.7A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 25V
    功率_最大:140W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

    FQP19N20C詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
    功率_最大:139W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

    FQP19N20C_F080詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
    功率_最大:139W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

    FQP19N20CTSTU詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
    功率_最大:139W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

    FQP19N20L詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 10.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2200pF @ 25V
    功率_最大:140W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

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