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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    FQI9N08 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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    FQI9N08LTU詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:80V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫歐 @ 4.65A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:280pF @ 25V
    功率_最大:3.75W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
    包裝:管件

    FQI9N08TU詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:80V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫歐 @ 4.65A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:3.75W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
    包裝:管件

    FQI9N08供應(yīng)商

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