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    FQD8P10TM 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    FQD8P10TM詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252-3
    包裝:剪切帶 (CT)

    FQD8P10TM詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252-3
    包裝:Digi-Reel®

    FQD8P10TM詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252-3
    包裝:帶卷 (TR)

    FQD8P10TM_F080詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    FQD8P10TM_F085詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    FQD8P10TM_SB82052詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    FQD8P10TM供應(yīng)商

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