FQB3N90TM 全國供應商、價格、PDF資料

FQB3N90TM詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：900V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.25 歐姆 @ 1.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 25V

功率_最大：3.13W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CGR103U030R4L

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 螺絲端子    CAP ALUM 10000UF 30V SCREW

• FQB34N20TM_AM002

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

• CGA3E2X7R2A682K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0603

• CGA6P3X7R1H335K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 3.3UF 50V 10% X7R 1210

• FQB34P10TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

• CGR152T075U2C

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 螺絲端子    CAP ALUM 1500UF 75V SCREW

• ESR10EZPJ122

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.2K OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA3E2X7R2A682K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0603

• CGA6P3X7R1H335K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 3.3UF 50V 10% X7R 1210

• CGA3E2X8R1E683K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.068UF 25V 10% X8R 0603

• ESR10EZPJ123

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 12K OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA6P3X7S1H106K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 10UF 50V 10% X7S 1210

• ESR10EZPJ130

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 13 OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA3E2X8R1E683K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.068UF 25V 10% X8R 0603

• CGR273U030V5L

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 螺絲端子    CAP ALUM 27000UF 30V SCREW