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FQB30N06 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FQB30N06LTM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1040pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：帶卷 (TR)

FQB30N06LTM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1040pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：Digi-Reel®

FQB30N06LTM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1040pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：剪切帶 (CT)

FQB30N06TM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 15A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：945pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• ECW-HA3C472JB

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 4700PF 1.6KVDC RADIAL

• FQB19N20TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

• H3BXT-10106-B8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048B/X 6"

• H3BXT-10106-V8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048V/X 6"

• FQB22P10TM_F085

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

• H3BXT-10108-A8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048A/X 8"

• H3BXT-10108-L4-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A2015L/X 8"

• FQB2P25TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK

• H3BXT-10108-R8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048R/X 8"

• H3BXT-10110-A8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048A/X 10"

• H3BXT-10110-G8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048G/X 10"

• FQB32N12V2TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

• H3BXT-10110-L8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048L/X 10"

• H3BXT-10110-S6-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3049S/X 10"

• FQB34P10TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK