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FQB1N60TM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FQB1N60TM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 歐姆 @ 600mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V

功率_最大：3.13W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CGA3E2X7R1H333K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603

• CGA6M4C0G2J682J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210

• FK18C0G2E101J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 100PF 250V 5% RADIAL

• CGJ6M2X7R2A474K

  陶瓷    TDK Corporation    -    CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

• FQB16N25CTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK

• CGA3E2X7R1H333K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPF5102

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 51.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA6M4C0G2J682J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210

• FK18C0G2E181J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 180PF 250V 5% RADIAL

• ESR10EZPF5902

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 59.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2X7R1H471K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0603

• FK18C0G2E331J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 330PF 250V 5% RADIAL

• CGA6M4C0G2J682J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210

• CGJ6M3X7S2A475K

  陶瓷    TDK Corporation    -    CAP CER 4.7UF 100V 10% X7S 1210

• FQB1P50TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK