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    FQA6N80_F109 全國供應商、價格、PDF資料

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    FQA6N80_F109詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:800V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.95 歐姆 @ 3.15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
    功率_最大:185W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
    供應商設備封裝:TO-3PN
    包裝:管件

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