FMMT413 全國供應商、價格、PDF資料

FMMT413TA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN 雪崩模式

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V

功率_最大：330mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

FMMT413TA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN 雪崩模式

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V

功率_最大：330mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：剪切帶 (CT)

FMMT413TC詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN 雪崩模式

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V

功率_最大：330mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

FMMT413TD詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN 雪崩模式

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V

功率_最大：330mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

FMMT413TD詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN 雪崩模式

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V

功率_最大：330mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：剪切帶 (CT)

FMMT413TD詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN 雪崩模式

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V

功率_最大：330mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：Digi-Reel®

• FODM3021R1V

  光隔離器 - 三端雙向可控硅，SCR輸出    Fairchild Optoelectronics Group    4-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER 400V TRIAC OUT 4MFP

• IXBT2N250

  IGBT - 單路    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    IGBT 2500V 5A 32W TO268

• FMM44DSEN-S243

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    i4-Pac?-5    CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET

• GQM2195C2A7R5CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 7.5PF 100V NP0 0805

• IDT72V06L25JGI

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LCC（J 形引線）    IC ASYNCH 8192X18 25NS 32PLCC

• CURB207-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AA，SMB    DIODE ULT FAST 2A 1000V DO-214AA

• IDT71V25761SA183BQI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA

• ISL3156EIBZ-T

  接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Intersil    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    TXRX ESD 5V RS-485/422 14-SOIC

• IXBT32N300

  IGBT - 單路    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    IGBT 3000V 80A 400W TO268

• GQM2195C2A8R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 8PF 100V NP0 0805

• IDT72V201L10J

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LCC（J 形引線）    IC FIFO SYNC 256X9 10NS 32-PLCC

• IDT71V25761SA200BGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA

• CURC302-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE ULT FAST 3A 100V DO-214AB

• ISL3156EIBZ-T7A

  接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Intersil    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC LINEAR

• FODM3022R3V

  光隔離器 - 三端雙向可控硅，SCR輸出    Fairchild Optoelectronics Group    4-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER 400V TRIAC OUT 4MFP