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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    FDS6898A 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    FDS6898A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1821pF @ 10V
    功率_最大:900mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:Digi-Reel®

    FDS6898A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1821pF @ 10V
    功率_最大:900mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:剪切帶 (CT)

    FDS6898A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1821pF @ 10V
    功率_最大:900mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    FDS6898A_NF40詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1821pF @ 10V
    功率_最大:900mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    FDS6898AZ詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1821pF @ 10V
    功率_最大:900mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    FDS6898AZ詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9.4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1821pF @ 10V
    功率_最大:900mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:剪切帶 (CT)

    FDS6898A供應(yīng)商

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