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    FDS6680 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    FDS6680詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 11.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:剪切帶 (CT)

    FDS6680詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 11.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:Digi-Reel®

    FDS6680詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 11.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    FDS6680A詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 12.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 15V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:剪切帶 (CT)

    FDS6680A詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 12.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 15V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:Digi-Reel®

    FDS6680A詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 12.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 15V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

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