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FDN359AN詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：460mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-SSOT; 包裝：剪切帶 (CT)

FDN359AN詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：460mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-SSOT; 包裝：帶卷 (TR)

FDN359AN詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：460mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-SSOT; 包裝：Digi-Reel®

FDN359BN詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：460mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-SSOT; 包裝：帶卷 (TR)

FDN359BN詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：460mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-SSOT; 包裝：Digi-Reel®

FDN359BN詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：460mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-SSOT; 包裝：剪切帶 (CT)

MCR10EZHF10R5
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.5 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MAX3223EIDB
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC RS232 3V5.5V DRVR ESD 20-SSOP
MAX3421EEHJ+
接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-TQFP IC USB PERIPH/HOST CNTRL 32TQFP
LM4040B30IDCKR
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-5
FDN357N
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
MAX3186EAP+
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC RS-232 SERIAL 230KBPS 20-SSOP
MAX4514CUK-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated SC-74A，SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
LM432MA/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP DUAL 2.5V REF 8-SOIC
MCR10EZHF10R7
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.7 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MAX3421EETJ+T
接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盤 IC USB PERIPH/HOST CNTRL 32TQFN
LM4040B30IDCKRE4
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-5
FDG327N
FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
MAX4514EUK+T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated SC-74A，SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
LM4431M3X-2.5
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments IC VREF SHUNT 2.5V SOT-23-3
MCR10EZHF1130
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 113 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

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FDN359供應(yīng)商

MCR10EZHF10R5

MAX3223EIDB

MAX3421EEHJ+

LM4040B30IDCKR

FDN357N

MAX3186EAP+

MAX4514CUK-T

LM432MA/NOPB

MCR10EZHF10R7

MAX3421EETJ+T

LM4040B30IDCKRE4

FDG327N

MAX4514EUK+T

LM4431M3X-2.5

MCR10EZHF1130

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FDN359供應(yīng)商

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