FDMS7672詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2960pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PQFN，Power56
- 供應商設備封裝：Power56
- 包裝：帶卷 (TR)
FDMS7672詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2960pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PQFN，Power56
- 供應商設備封裝：Power56
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDMS7672詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2960pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PQFN，Power56
- 供應商設備封裝：Power56
- 包裝：Digi-Reel®
FDMS7672AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerTDFN
- 供應商設備封裝：8-PQFN（5X6），Power56
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDMS7672AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerTDFN
- 供應商設備封裝：8-PQFN（5X6），Power56
- 包裝：Digi-Reel®
FDMS7672AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerTDFN
- 供應商設備封裝：8-PQFN（5X6），Power56
- 包裝：帶卷 (TR)
- 數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉換器 Maxim Integrated 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC ADC 12BIT 265KSPS 28-QSOP
- 晶體 EPSON 4-SOJ，5.50mm 間距 CRYSTAL 29.4912MHZ 18PF SMD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PQFN，Power56 MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 108-LFBGA IC ARM CORTEX MCU 256KB 108NFBGA
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HIGH/LOW GATE 8-SOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 464 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-8 IC BATTERY MON DUAL SOT23-8
- 晶體 EPSON 4-SOJ，5.50mm 間距 CRYSTAL 30.0000MHZ 18PF SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES SMD 100 OHM 1608 1/10W 5%
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 108-LFBGA IC ARM CORTEX MCU 108NFBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 46.4 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - PFC（功率因數(shù)修正） Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC POWER FACTOR CORR CTRLR 8SOIC
- 晶體 EPSON 4-SOJ，5.50mm 間距 CRYSTAL 33.3333MHZ 18PF SMD
- PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-8 IC BATTERY MON DUAL SOT23-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 221 OHM 1/10W 1% 0603
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