

FDD86102詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1035pF @ 50V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDD86102詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1035pF @ 50V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
FDD86102詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1035pF @ 50V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
FDD86102LZ詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22.5 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 50V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
- 包裝:Digi-Reel®
FDD86102LZ詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22.5 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 50V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDD86102LZ詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22.5 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 50V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
- 包裝:帶卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 56POS DIP .100 SLD
- 連接器,互連器件 LEMO TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA PLUG CDJ 4CTS C-COL
- 連接器,互連器件 LEMO PLUG 6CTS C-COL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 7.7PF 25V S2H 0201
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 60POS .100 EXTEND
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.68UF 250VDC RADIAL
- 連接器,互連器件 LEMO TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA PLUG CDJ 4CTS C-COL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .100 EXTEND
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 8PF 25V S2H 0201
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 60POS .100" WW
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 6.8UF 250VDC RADIAL
- 連接器,互連器件 LEMO PLUG 14CTS C-COL
- 連接器,互連器件 LEMO TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA PLUG CDJ 5CTS C-COL
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