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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    FDC640 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    FDC6401N詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.6nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 10V
    功率_最大:700mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
    包裝:Digi-Reel®

    FDC6401N詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.6nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 10V
    功率_最大:700mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
    包裝:帶卷 (TR)

    FDC6401N詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.6nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 10V
    功率_最大:700mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
    包裝:剪切帶 (CT)

    FDC640P詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.5A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.5A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 10V
    功率_最大:800mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
    包裝:Digi-Reel®

    FDC640P詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.5A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.5A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 10V
    功率_最大:800mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
    包裝:剪切帶 (CT)

    FDC640P詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
    系列:PowerTrench®
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.5A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.5A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 10V
    功率_最大:800mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-SSOT
    包裝:帶卷 (TR)

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