FDB045AN08 全國供應商、價格、PDF資料
FDB045AN08A0詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V
- 功率_最大：310W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDB045AN08A0詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V
- 功率_最大：310W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：Digi-Reel®
FDB045AN08A0詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V
- 功率_最大：310W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
FDB045AN08A0_F085詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V
- 功率_最大：310W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263-2
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDB045AN08A0_F085詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V
- 功率_最大：310W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263-2
- 包裝：Digi-Reel®
FDB045AN08A0_F085詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V
- 功率_最大：310W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263-2
- 包裝：帶卷 (TR)
- 放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - PREWIRED A/D NPN FO AMP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402（1005 公制） RES ANTI-SULFUR 2.55KOHM 1% 0402
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 25.5K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 40POS R/A .050 SLD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 120K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET HORIZ 20 DEG ANGL ADJUST
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402（1005 公制） RES ANTI-SULFUR 26.1 OHM 1% 0402
- 放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - ATC AMP, PNP, PREWIRED
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 255K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET REAR MNT VERT FOR E3V3
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 1.20M OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - PREWIRED DIGITAL PNP FO AMP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402（1005 公制） RES ANTI-SULFUR 27.4KOHM 1% 0402
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
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