FCP13N60N詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
- 系列:SuperMOS™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:258 毫歐 @ 6.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1765pF @ 100V
- 功率_最大:116W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220
- 包裝:管件
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210(3225 公制) CAP FILM 0.027UF 50VDC 1210
- 配件 Microchip Technology 軸向 MODULE PLUG-IN PICDEM LCD2
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TERM BARRIER 6CIRC DUAL ROW
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 33.0 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET
- 電容器 Vishay BC Components 軸向,CAN CAP ALUM 4.7UF 100V 20% AXIAL
- 風扇 - DC Qualtek FAN 80X25MM 12VDC SLEEVE WIRE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 3.3 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 47.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TERM BARRIER 9CIRC DUAL ROW
- 電容器 Vishay BC Components 軸向,CAN CAP ALUM 47UF 100V 20% AXIAL
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 3.3 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- 風扇 - DC Qualtek FAN 80X25MM 24VDC BALL/SLVE WIRE
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