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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    EMH2 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    EMH2308-TL-E詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:2 個(gè) P 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
    功率_最大:1.2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-EMH
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH2314-TL-H詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:2 個(gè) P 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 2.5A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 6V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-EMH
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH2407-TL-H詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 6A EMH8
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.3nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 10V
    功率_最大:1.4W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-EMH
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH2408-TL-H詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:345pF @ 10V
    功率_最大:1.2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-EMH
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH2409-TL-H詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:59 毫歐 @ 2A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.4nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 10V
    功率_最大:1.2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-EMH
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH2411R-TL-H詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:2 N 溝道(雙)共漏
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36.5 毫歐 @ 2.5A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.9nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-EMH
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH2供應(yīng)商

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