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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    EMH 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    EMH詳細(xì)規(guī)格

    類別:圓形 - 外殼
    描述:CONN E SERIES HSNG MALE NICKEL
    系列:Q-G® E
    制造商:Switchcraft Inc.
    引腳或插座:
    連接器類型:公觸點(diǎn)插座
    類型:
    針腳數(shù):3
    外殼尺寸_插件:-
    尺寸:
    外殼尺寸qqqMIL:-
    線規(guī):
    觸頭端接:
    觸頭類型:焊接
    端接:
    觸頭尺寸:-
    觸頭鍍層:
    安裝類型:面板安裝,法蘭
    觸頭鍍層厚度:
    緊固類型:銷鎖
    方向:帶標(biāo)記
    外殼材料qqq鍍層:鑄件,鍍鎳
    侵入防護(hù):-
    特性:鎖定
    包裝:散裝

    EMH10T2R詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):22k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):22k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:剪切帶 (CT)

    EMH10T2R詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):22k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):22k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:帶卷 (TR)

    EMH10T2R詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):22k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):22k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:Digi-Reel®

    EMH11T2R詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:剪切帶 (CT)

    EMH11T2R詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:帶卷 (TR)

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