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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    EMD29T2R 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    EMD29T2R詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA,500mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,12V
    電阻器_基極333R1444(歐):1k,10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz,260MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:帶卷 (TR)

    EMD29T2R詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA,500mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,12V
    電阻器_基極333R1444(歐):1k,10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz,260MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:Digi-Reel®

    EMD29T2R詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA,500mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V,12V
    電阻器_基極333R1444(歐):1k,10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz,260MHz
    功率_最大:150mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:EMT6
    包裝:剪切帶 (CT)

    EMD29T2R供應(yīng)商

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