DDC114TU-7 全國供應商、價格、PDF資料
DDC114TU-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設(shè)備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
DDC114TU-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設(shè)備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
DDC114TU-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設(shè)備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
DDC114TU-7-F詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設(shè)備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
DDC114TU-7-F詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設(shè)備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
DDC114TU-7-F詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設(shè)備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
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- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div LENS FOR FIBER SENSOR
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