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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    DDC114EU-7 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    DDC114EU-7詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT-363
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:200mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:剪切帶 (CT)

    DDC114EU-7詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT-363
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:200mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:帶卷 (TR)

    DDC114EU-7-F詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:200mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:Digi-Reel®

    DDC114EU-7-F詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:200mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:剪切帶 (CT)

    DDC114EU-7-F詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):10k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
    功率_最大:200mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:帶卷 (TR)

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