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    D44H1 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    D44H10TU詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):8A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):-
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
    功率_最大:-
    頻率_轉換:-
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

    D44H11詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANSISTOR NPN 80V 10A TO-220
    系列:-
    制造商:STMicroelectronics
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):10A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
    電流_集電極截止(最大):10µA
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
    功率_最大:50W
    頻率_轉換:-
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    D44H11詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):10A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
    電流_集電極截止(最大):10µA
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
    功率_最大:60W
    頻率_轉換:50MHz
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220
    包裝:管件

    D44H11詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS NPN 10A 80V TO220AB
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):10A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
    電流_集電極截止(最大):10µA
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
    功率_最大:2W
    頻率_轉換:50MHz
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    D44H11FP詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
    系列:-
    制造商:STMicroelectronics
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):10A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
    電流_集電極截止(最大):10µA
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
    功率_最大:36W
    頻率_轉換:-
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3 整包
    供應商設備封裝:TO-220FP
    包裝:管件

    D44H11G詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS NPN 10A 80V TO220AB
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:NPN
    電流_集電極333Ic444(最大):10A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
    電流_集電極截止(最大):10µA
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
    功率_最大:2W
    頻率_轉換:50MHz
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    D44H1供應商

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