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CSD16407Q5詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2660pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán); 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON; 包裝：剪切帶 (CT)

CSD16407Q5詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2660pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán); 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON; 包裝：Digi-Reel®

CSD16407Q5詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2660pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán); 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON; 包裝：帶卷 (TR)

CSD16407Q5C詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2660pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán); 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（5x6）; 包裝：Digi-Reel®

CSD16407Q5C詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2660pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán); 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（5x6）; 包裝：帶卷 (TR)

CSD16407Q5C詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2660pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán); 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（5x6）; 包裝：剪切帶 (CT)

CS3108A-22-20S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 9POS RT ANG W/SCKT
CSD16404Q5A
FET - 單 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
CRT1-OD16SH
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16 OUT NPN ECON
CMF60200K00FHEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200K OHM 1W 1% AXIAL
AFD56-20-39SN-6117
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 39POS STRGHT W/SKT
CTX32T-R33-R
固定式 Cooper Bussmann 1210（3225 公制） INDUCTOR CHIP 0.33UH 1210 SMD
CW02C10K00JE70
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10K OHM 3.25W 5% WW AXIAL
CRCW251293K1FKEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 93.1K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
CS3108A-22-63S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 12POS RT ANG W/SCKT
CTX33-2
陣列，信號(hào)變壓器 Cooper Bussmann 1210（3225 公制） INDUCTOR TOROID DUAL 31.77UH SMD
CMF60200R00FEBF
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200 OHM 1W 1% AXIAL
AFD56-20-39SW-6140
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 39POS SKT
CW02C15R00JE70
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 15 OHM 3.25W 5% WW AXIAL
CRCW2512953RFKEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 953 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
CS3108A-22-63S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 12POS RT ANG W/SCKT

CSD16407Q5 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料