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CGA6M2X7R2A474K 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

CGA6M2X7R2A474K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.47µF

電壓_額定：100V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7R

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動

等級：

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：Digi-Reel®

故障率：

CGA6M2X7R2A474K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.47µF

電壓_額定：100V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7R

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動

等級：

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

CGA6M2X7R2A474K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.47µF

電壓_額定：100V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7R

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動

額定值：AEC-Q200

封裝/外殼：1210（3225 公制）

尺寸/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.087"（2.20mm）

引線間隔：-

特點(diǎn)：-

包裝：剪切帶 (CT)

CGA6M2X7R2A474K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.47µF

電壓_額定：100V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7R

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動

額定值：AEC-Q200

封裝/外殼：1210（3225 公制）

尺寸/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.087"（2.20mm）

引線間隔：-

特點(diǎn)：-

包裝：Digi-Reel®

CGA6M2X7R2A474K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.47µF

電壓_額定：100V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7R

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動

額定值：AEC-Q200

封裝/外殼：1210（3225 公制）

尺寸/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.087"（2.20mm）

引線間隔：-

特點(diǎn)：-

包裝：帶卷 (TR)

CGA6M2X7R2A474K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.47µF

電壓_額定：100V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7R

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動

等級：

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

• FQA7N90

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

• CGJ5L4C0G2H103J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 10000PF 500V NP0 1206

• ESR10EZPF15R8

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 15.8 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2X7R1E104K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0603

• CGA6M2X7R2A105K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210

• FK18C0G1H220J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL

• FQA85N06

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

• CGJ5L4C0G2H103J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 10000PF 500V NP0 1206

• ESR10EZPF18R2

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 18.2 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGJ5L4C0G2H272J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 2700PF 500V 5% NP0 1206

• FK18C0G1H220J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL

• CGA3E2X7R1E154K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.15UF 25V 10% X7R 0603

• ESR10EZPF1R30

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.30 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FQA90N08

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P

• CGA6M2X8R1E225K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 2.2UF 25V 10% X8R 1210