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BZV85-C12,113詳細規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE ZENER 12V 1.3W DO-41; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標稱）333Vz444：12V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 50mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 8.4V; 容差：±5%; 功率_最大：1.3W; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DO-41; 包裝：Digi-Reel®

BZV85-C12,113詳細規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE ZENER 12V 1.3W DO-41; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標稱）333Vz444：12V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 50mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 8.4V; 容差：±5%; 功率_最大：1.3W; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DO-41; 包裝：剪切帶 (CT)

BZV85-C12,113詳細規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE ZENER 12V 1.3W DO-41; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標稱）333Vz444：12V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 50mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 8.4V; 容差：±5%; 功率_最大：1.3W; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DO-41; 包裝：帶卷 (TR)

BZV85-C12,133詳細規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE VREG 12V 1.3W DO-41; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標稱）333Vz444：12V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 50mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 8.4V; 容差：±5%; 功率_最大：1.3W; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DO-41; 包裝：帶盒（TB）

BZV85-C12,133詳細規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE VREG 12V 1.3W DO-41; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標稱）333Vz444：12V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 50mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 8.4V; 容差：±5%; 功率_最大：1.3W; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DO-41; 包裝：帶盒（TB）

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BZV85-C12 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料