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BTS282Z 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

BTS282Z詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

系列：TEMPFET®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：49V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-7 成形引線(xiàn)

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7

包裝：管件

BTS282Z E3180A詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

系列：TEMPFET®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：49V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-8，D²Pak（7 引線(xiàn)+接片），TO-263CA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-180

包裝：剪切帶 (CT)

BTS282Z E3180A詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

系列：TEMPFET®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：49V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-8，D²Pak（7 引線(xiàn)+接片），TO-263CA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-180

包裝：Digi-Reel®

BTS282Z E3180A詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

系列：TEMPFET®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：49V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-8，D²Pak（7 引線(xiàn)+接片），TO-263CA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-180

包裝：帶卷 (TR)

BTS282Z E3230詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

系列：TEMPFET®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：49V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-7

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-230

包裝：管件

• B59339A1202P20

  熱敏電阻 - PTC    EPCOS Inc    圓盤(pán)形    PTC THERMISTOR J 289-P 120-A 20

• B43601C9337M82

  電容器    EPCOS Inc        330UF 400V 35X25 SNAP-IN

• C1005C0G1H150J

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0402

• BKAD3-626-400-F0

  背板 - ARINC    ITT Cannon    0402（1005 公制）    RACK AND PANEL RCPT 626POS

• BTS141TC

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB    IC SWITCH SMART LOWSIDE TO263-3

• B43305C9397M62

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 390UF 400V

• B59339A1502P20

  熱敏電阻 - PTC    EPCOS Inc    徑向    PTC THERMISTOR J 29-P 120-A 20

• B43601C9397M62

  電容器    EPCOS Inc        390UF 400V 35X30 SNAP-IN

• C1005C0G1H151J

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0402

• B43305D5277M82

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V

• B43601C9397M82

  電容器    EPCOS Inc        390UF 400V 35X30 SNAP-IN

• C1005C0G1H151J

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0402

• BKAD3-800-40022

  背板 - ARINC    ITT Cannon    0402（1005 公制）    RACK AND PANEL RCPT 800POS

• B59346A1502P20

  熱敏電阻 - PTC    EPCOS Inc    徑向    PTC THERMISTOR J 29-P 190-A 20

• BTS3046SDR

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)    Infineon Technologies    TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63    IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11