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BTS282Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：49V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-7 成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7; 包裝：管件

BTS282Z E3180A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：49V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-180; 包裝：剪切帶 (CT)

BTS282Z E3180A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：49V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-180; 包裝：Digi-Reel®

BTS282Z E3180A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：49V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-180; 包裝：帶卷 (TR)

BTS282Z E3230詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：49V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 240µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：232nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-7; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-7-230; 包裝：管件

B59339A1202P20
熱敏電阻 - PTC EPCOS Inc 圓盤形 PTC THERMISTOR J 289-P 120-A 20
B43601C9337M82
電容器 EPCOS Inc 330UF 400V 35X25 SNAP-IN
C1005C0G1H150J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0402
BKAD3-626-400-F0
背板 - ARINC ITT Cannon 0402（1005 公制） RACK AND PANEL RCPT 626POS
BTS141TC
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān) Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IC SWITCH SMART LOWSIDE TO263-3
B43305C9397M62
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 400V
B59339A1502P20
熱敏電阻 - PTC EPCOS Inc 徑向 PTC THERMISTOR J 29-P 120-A 20
B43601C9397M62
電容器 EPCOS Inc 390UF 400V 35X30 SNAP-IN
C1005C0G1H151J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0402
B43305D5277M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V
B43601C9397M82
電容器 EPCOS Inc 390UF 400V 35X30 SNAP-IN
C1005C0G1H151J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0402
BKAD3-800-40022
背板 - ARINC ITT Cannon 0402（1005 公制） RACK AND PANEL RCPT 800POS
B59346A1502P20
熱敏電阻 - PTC EPCOS Inc 徑向 PTC THERMISTOR J 29-P 190-A 20
BTS3046SDR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān) Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11

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