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    BSZ036NE2LS 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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    BSZ036NE2LS詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 12V
    功率_最大:2.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-PowerTDFN
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSZ036NE2LS詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 12V
    功率_最大:2.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-PowerTDFN
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
    包裝:Digi-Reel®

    BSZ036NE2LS詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 12V
    功率_最大:2.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-PowerTDFN
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
    包裝:帶卷 (TR)

    BSZ036NE2LS供應(yīng)商

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