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BSS83P H6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 330mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS83P H6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 330mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS83P H6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 330mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS83PE6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 330mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS83PE6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 330mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS83PL6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 330mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BQ48SH-28X6NSH
時鐘/計時 - IC 電池 Texas Instruments 徑向 IC SNAPHAT W/BATT AND CRYSTAL
BSS7728N L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
BK/S506-2.5A
保險絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 2.5A 250V T-LAG GLASS S506
C322C474M5U5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.47UF 50V 20% RADIAL
BSS83,215
RF FET NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B
C0805C161F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 160PF 50V 1% NP0 0805
BQ500211RGZT
PMIC - 電源管理 - 專用 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盤 IC WIRELESS PWR TX 48VQFN
BK/S506-V-1.6-R
保險絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm（軸向） FUSE 1.6A 250V T-LAG GLASS S506
B41505A158M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 1500UF 80V
C0805C161J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 160PF 200V 5% NP0 0805
BQ51011YFFT
PMIC - 電源管理 - 專用 Texas Instruments 28-UFBGA，DSBGA IC WIRELESS PWR RCVR 28DSBGA
BK/S506-V-50-R
保險絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm（軸向） FUSE 50MA 250V T-LAG GLASS S506
7-1911011-7
壓接器，施用器，壓力機 - 配件 TE Connectivity 5mm x 20mm（軸向） SYS III APPL SPARE PART KIT
B41505A3109M7
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 10000UF 10V
BSS84_D87Z
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

BSS83P 全國供應商、價格、PDF資料