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BSS315P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS315P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS315P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS315P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS315P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS315P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BGA 728L7 E6327
RF 放大器 Infineon Technologies 6-XFDFN 裸露焊盤(pán) IC AMP MMIC 3.6V 20MA TSLP-7
C901U150JZSDBAWL40
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
8-1879634-5
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 64.9K OHM 1/2W 0.5% AXIAL
BSS214NW L6327
FET - 單 Infineon Technologies SC-70，SOT-323 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
BU-00287
測(cè)試引線(xiàn) - 跳線(xiàn)，專(zhuān)用型 Mueller Electric Co SC-70，SOT-323 LEAD SET 10 ALLIGATOR 22AWG 18"
BF014E0562K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 5600PF 100VDC RADIAL
C901U150JZSDCAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
BGA 748L16 E6327
RF 放大器 Infineon Technologies TSLP-16-1 IC AMP MMIC QUAD-BAND LN TSLP16
8-1879636-3
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 511 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014E0682J
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 6800PF 100VDC RADIAL
BFC241972204
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL
C901U150JZSDCAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
BGA 758L7 E6327
RF 放大器 Infineon Technologies TSLP-7-8 IC LNA 5GHZ - 6GHZ TSLP-7-8
8-1879637-3
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 59.0K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014E0822K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 8200PF 100VDC RADIAL

BSS315P 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料