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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    BSS192PE6327T 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    BSS192PE6327T詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:190mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 190mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:104pF @ 25V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-243AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT89-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSS192PE6327T詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:190mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 190mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:104pF @ 25V
    功率_最大:1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-243AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT89-4
    包裝:帶卷 (TR)

    BSS192PE6327T供應(yīng)商

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