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BSS169 E6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 7V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：68pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS169 E6906詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 7V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：68pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS169 H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 7V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：68pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS169 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 7V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：68pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS169 L6906詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 7V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：68pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS169 L6906詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 7V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：68pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

CA3102E18-11SF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5 POS BOX MNT W/SKTS
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BSS169 L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC DETECTOR VOLT 2.7V CMOS 5SSOP
CA3100R14S-5PBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
CA3102E18-11SXB04
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SKTS
BXC-10685
配件 JKL Components Corp. 9-DIP 模塊 ASSY OUTPUT FOR BXA-12630-5.5M
C200H-CN221
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE I/O 2M COO
CA3101E28-21PB06
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37POS INLINE W/PINS
BU4331F-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor SC-82 IC DETECTOR VOLT 3.1V CMOS 4SOP
CA3100R14S-6PB01-05
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL MNT W/PINS
CA06R28-A51P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 43POS INLINE W/PINS

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