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BSS159N E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 160mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：44pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS159N E6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 160mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：44pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS159N H6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 160mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：44pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS159N H6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 160mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：44pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS159N H6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 160mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：44pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS159N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 160mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：44pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BQ24163RGET
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盤 IC BATT CHRG MGMT LI-ION 24VQFN
BA15FP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 15V 1A TO252-3
AU05YC474KA72A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 16V 10% X7R 0805
AT3082B
配件 NKK Switches 0805（2012 公制） DIFFUSER TRANS SQ WHITE
BSS139 H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
C1432ALMAD
配件 Arcolectric TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MNTCE TIMER 230V GN/RD 3 WEEK
BA17805CP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-220-3截切引線 IC REG LDO 5V 1A TO220CP-3
BQ24165RGER
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盤 IC BATT CHRG MGMT LI-ION 24VQFN
AU-1039
箱 Bud Industries 24-VFQFN 裸露焊盤 CABINET ALUM 6X6X6" NAT
C1432ALMAD
配件 Arcolectric TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MNTCE TIMER 230V GN/RD 3 WEEK
BA17808FP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 8V 1A TO252-3
B41858C7227M
電容器 EPCOS Inc 220UF 35V SINGLE END
BQ24165YFFR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
AU-1040-MG
箱 Bud Industries 49-UFBGA，DSBGA CABINET ALUM 5X6X9" GRY
BSS169 E6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

BSS159 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料