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    BSR30 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    BSR30,115詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類(lèi)型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
    功率_最大:1.35W
    頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-243AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-89-3
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSR30,115詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類(lèi)型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
    功率_最大:1.35W
    頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-243AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-89-3
    包裝:帶卷 (TR)

    BSR30,115詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類(lèi)型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
    功率_最大:1.35W
    頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-243AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-89-3
    包裝:Digi-Reel®

    BSR30,115詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:晶體管(BJT) - 單路
    描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類(lèi)型:PNP
    電流_集電極333Ic444(最大):1A
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
    功率_最大:1.35W
    頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-243AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-89-3
    包裝:帶卷 (TR)

    BSR302N L6327詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 3.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 30µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.6nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 15V
    功率_最大:500mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SC-59
    包裝:剪切帶 (CT)

    BSR302N L6327詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 3.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 30µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.6nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 15V
    功率_最大:500mW
    安裝類(lèi)型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SC-59
    包裝:帶卷 (TR)

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