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BSR30,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSR30,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSR30,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：Digi-Reel®

BSR30,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSR302N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

BSR302N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

C0805C105Z8VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 10V Y5V 0805
74LVC1G126GW,125
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 NXP Semiconductors 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC BUFF DVR TRI-ST N-INV 5TSSOP
C0603C821J5GACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
BQ24103AEVM
評(píng)估演示板和套件 Texas Instruments 0603（1608 公制） BQ24103AEVM
C0603C391J4GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 16V 5% NP0 0603
BK1/S500-1.6-R
保險(xiǎn)絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 1.6A 250V FAST 5X20 IEC
C2012X6S1H105K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X6S 0805
C0805C106K4PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 16V 10% X5R 0805
C0603C821J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
BQ24103RHLR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC LI-ION/POL CHARGE MGMT 20-QFN
C2012X6S1H105M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 50V 20% X6S 0805
BK1/S501-125-R
保險(xiǎn)絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 125MA 250V FAST CERAM
C0603C391J5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 5% X7R 0603
C0805C106K8PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 10V 10% X5R 0805
74LVC1G126Z-7
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Diodes Inc SOT-553 IC BUFF/DVR TRI-ST 1BIT SOT553

BSR30 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料