BSR14 全國供應商、價格、PDF資料

BSR14詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 40V 0.8A SOT23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：剪切帶 (CT)

BSR14詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 40V 0.8A SOT23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：Digi-Reel®

BSR14詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 40V 0.8A SOT23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BSR14,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSR14,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSR14,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

• BQ24090DGQR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤    IC BATT CHRGR LI-ION 10MSOP

• C0603C390K5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 39PF 50V 10% NP0 0603

• BSR

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    0603（1608 公制）    9V FASTENING RIVET FOR SNAP

• C0805C105M8RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 10V 20% X7R 0805

• C0603C821G5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 820PF 50V 2% NP0 0603

• 74LVC1G126DCKRE4

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353    IC BUFF/DVR TRI-ST N-INV SC705

• C200HW-ME04K

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353    MEMORY CASSETTE 4K WORD EEPROM

• C2012X6S1C475M

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7UF 16V 20% X6S 0805

• BQ24090DGQT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤    IC BATT CHRGR LI-ION 10MSOP

• C0805C105Z3VACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 25V Y5V 0805

• C0603C821J3GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 820PF 25V 5% NP0 0603

• 74LVC1G126DRYRG4

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    6-UFDFN    IC BUFF/DVR TRI-ST N-INV 6SON

• C0603C391G5GALTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 390PF 50V 2% NP0 0603

• BQ24092DGQT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤    IC BATT CHARGER LI-ION 10MSOP

• C200HW-ME04K

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤    MEMORY CASSETTE 4K WORD EEPROM