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BSP613P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

C0603C684K8PACTU
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74LVC1G06W5-7
邏輯 - 柵極和逆變器 Diodes Inc SC-74A，SOT-753 IC INVERTER GATE 1INPUT SOT25
BSP61,115
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C0805C105M3PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X5R 0805
C200HW-BI081-V1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） BACKPLANE I/O EXPANSION 8 SLOT
C2012X5R1E105M/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X5R 0805
BQ24060DRCTG4
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 10-VFDFN 裸露焊盤 IC LI-ION/LI-POL CHG MGMT 10-SON
C0603C684K8PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.68UF 10V 10% X5R 0603
74LVC1G07GF,132
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC BUFFER OPEN DRAIN N-INV 6XSON
C0603C129B5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.2PF 50V NP0 0603
C2012X5R1E106K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 25V 10% X5R 0805
C200HW-CE001
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） SINGLE CPU BUS
BQ24061EVM-002
評(píng)估演示板和套件 Texas Instruments 0805（2012 公制） EVAL MODULE FOR BQ24061-002
C0603C684M8PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.68UF 10V 20% X5R 0603
BSP62,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS PNP 80V 500MA SOT223

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